*.该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于   测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命； *.测试单晶电阻率范围： >0.3Ω.cm； *.可测单晶少子寿命范围： 1μS-10000μS； *.配备光源类型：红外光源，波长：1.09μm；   余辉<1 μS；闪光频率为：20-30次／秒； *.前置放大器：放大倍数约25； *.测量方式：采用对标准曲线读数方式；