| LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 |
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| 本仪器根据通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。 |
| 技 术 指 标 ： |
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| 测试单晶电阻率范围 |
>2Ω.cm |
| 可测单晶少子寿命范围 |
5μS～7000μS |
| 配备光源类型 |
波长：1.09μm；余辉<1 μS；
闪光频率为：20～30次／秒；
闪光频率为：20～30次／秒； |
| 高频振荡源 |
用石英谐振器，振荡频率：30MHz |
| 前置放大器 |
放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz |
| 仪器测量重复误差 |
<±20％ |
| 测量方式 |
采用对标准曲线读数方式 |
| 仪器消耗功率 |
<25W |
| 仪器工作条件 |
温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz |
| 可测单晶尺寸 |
断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm； |
| 配用示波器 |
频宽0—20MHz；
电压灵敏：10mV／cm； |
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