*.用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。   本仪器根据通用方法高频光电导衰退法   的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放   大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品   台共五部份组成； *.测试单晶电阻率范围：>10Ω.cm *可测单晶少子寿命范围：20μS-5000μS；