ABBDSQC626A 3HAC026289-001
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 去耦电容的选择不存在与频率的精确对应关系，理论上越大越好，但现实中所有器件都不是理想器件，不论何种电容，ESL、ESR都是必然存在的，于是实际电容的频响曲线明显呈非线性，仅在一定频率区间内基本符合纯电容的理论计算结果，超出一定界限后就与理论值越差越远，超到一定程度后甚至电容将不再是电容了，这个频率称“自谐振频率”，同样材料和制造工艺下，容量越小的电容自谐振频率越高。所以去耦电容的选择除了需大致考虑频率外，还要考虑负载的情况，在一定频率之后还得考虑电容的材料和生产工艺等，在此基础上综合的结果决定去耦电容的容量和种类。

    通常数字电路的噪声频率在兆至百兆量级区间，这个区间的噪声采用陶瓷独石介质的0.1uF电容就可取得合适的效果，如果负载较重或噪声较强，可选择更大容量的电容或用多个电容并联，同样容量和电容材料下，小电容并联的效果强于单一大电容，频率越高越明显，高频去耦则需采用大小电容并联的方式分别对付不同频谱的噪声。

    一般去耦电容的容量选取原则：

    100M以下轻载：0.1uF，重载或存在较大低频噪声的可加并1-10uF的电容，介质材料选择陶瓷或钽为宜;

    100M-1000M：前述+100-1000pF(+10pF)，括号内根据频率的高限选择是否需要，小电容的介质选择必须是高频陶瓷，早期则多用云母，

    1G以上：前述+1-10pF，介质最好选择高Q微波陶瓷材料。

    高频重载时必须用多个小电容并联切不可直接用大电容。