电子半导体超纯水系统是专为满足电子半导体行业对水质极d要求而设计的集成化设备，通过多级纯化工艺与智能控制技术，生产出电阻率≥18.18 MΩ·cm（25℃）、总有机碳（TOC）<1 ppb、溶解氧（DO）<1 ppb、微粒（>0.05μm）<1个/mL、细菌<1 CFU/1000mL的超纯水，广泛应用于晶圆清洗、蚀刻、光刻、化学机械研磨（CMP）等关键工序。

电子半导体超纯水系统的组成与工艺流程：

预处理系统

通过多介质过滤器（石英砂、无烟煤）、活性炭过滤器（吸附余氯、有机物）、软化器（去除钙镁离子）及精密过滤器（5μm PP滤芯），去除原水中的悬浮物、胶体、有机物及硬度离子，保护后续核心设备（如RO膜）。

初级纯化系统

采用两级反渗透（RO）技术，利用高压泵驱动水通过聚酰胺复合膜，去除99%以上的离子、有机物及微生物。一级RO产水电阻率约50-200 kΩ·cm，二级RO产水电阻率可达1-5 MΩ·cm。脱气膜进一步脱除溶解的二氧化碳（CO₂）和部分溶解氧（O₂），降低后续离子交换树脂的负担。

深度纯化系统

电去离子（EDI）：通过离子交换树脂与直流电场结合，实现连续深度脱盐，无需酸碱再生，产水电阻率可达15-18 MΩ·cm。

精混床离子交换：作为EDI的补充或备份，采用核级精制树脂进一步去除残余离子，达到理论纯水极限（18.25 MΩ·cm）。

紫外线氧化（UV）：185nm UV光解有机物（TOC）为CO₂和H₂O，254nm UV杀菌消毒，确保水质生物安全性。

终端精滤系统

通过0.01-0.05μm超滤膜或精密过滤器，拦截最后微粒，确保UPW中>0.05μm的颗粒数接近于零。

储罐与分配系统

采用PVDF或高纯不锈钢（内衬PVDF）储罐，氮气密封隔绝空气，防止CO₂和O₂溶入。循环泵保持水流，避免“死水区”滋生细菌。终端过滤器（0.1μm或0.05μm）作为最后一道物理屏障，确保用水点水质达标。

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